推進(jìn)利用TSV(硅通孔)的三維層疊型新一代
2012年5月8日，推進(jìn)利用TSV(硅通孔)的三維層疊型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件行業(yè)巨頭美國微軟已加盟該協(xié)會。
HMC是采用三維構(gòu)造，在邏輯芯片上沿垂直方向疊加多個DRAM芯片，然后通過TSV連接布線的技術(shù)。HMC的最大特征是與既有的DRAM相比，性能可以得到極大的提升。提升的原因有二，一是芯片間的布線距離能夠從半導(dǎo)體封裝平攤在主板上的傳統(tǒng)方法的“cm”單位大幅縮小到數(shù)十μm～1mm;二是一枚芯片上能夠形成1000～數(shù)萬個TSV，實現(xiàn)芯片間的多點連接。
微軟之所以加入HMCC，是因為正在考慮如何對應(yīng)很可能會成為個人電腦和計算機(jī)性能提升的“內(nèi)存瓶頸”問題。內(nèi)存瓶頸是指隨著微處理器的性能通過多核化不斷提升，現(xiàn)行架構(gòu)的DRAM的性能將無法滿足處理器的需要。如果不解決這個問題，就會發(fā)生即使購買計算機(jī)新產(chǎn)品，實際性能也得不到相應(yīng)提升的情況。與之相比，如果把基于TSV的HMC應(yīng)用于計算機(jī)的主存儲器，數(shù)據(jù)傳輸速度就能夠提高到現(xiàn)行DRAM的約15倍，因此，不只是微軟，微處理器巨頭美國英特爾等公司也在積極研究采用HMC。
其實，計劃采用TSV的并不只是HMC等DRAM產(chǎn)品。按照半導(dǎo)體廠商的計劃，在今后數(shù)年間，從承擔(dān)電子設(shè)備輸入功能的CMOS傳感器到負(fù)責(zé)運算的FPGA和多核處理器，以及掌管產(chǎn)品存儲的DRAM和NAND閃存都將相繼導(dǎo)入TSV。如果計劃如期進(jìn)行，TSV將擔(dān)負(fù)起輸入、運算、存儲等電子設(shè)備的主要功能。
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